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STB25NM60N-1相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • STB25NM60N-1

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列MDmesh™ II
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）160 毫欧 @ 10.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）84nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2400pF @ 50V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）160W（Tc）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I2PAK
  • 封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

其它信息

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