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SCTH100N65G2-7AG相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • SCTH100N65G2-7AG

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，SCTH100N65G2-7AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列汽车级，AEC-Q101
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）95A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）18V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）26 毫欧 @ 50A，18V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）162nC @ 18V
  • Vgs（最大值）+22V，-10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3315pF @ 520V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）360W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装H2PAK-7
  • 封装/外壳TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

其它信息

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